FIMによるGa-WおよびGa-Mo界面の研究 : (II) 蒸発電界の温度依存性
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概要
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Ga atoms on a W surface exhibit various structures; superstructure, pseudomorph and an overlayer that retains its own lattice structure. The evaporation field of Ga forming these structures varies more significantly with temperature than that of the substrate W, which indicates that the valency of W ions is higher than that of Ga ions.<BR>At lower temperatures, the evaporation field is less dependent on temperature. The observed result can be attributed to the increase in the number of atoms which are evaporated by the tunneling process through a potential barrier reduced by a high field.<BR>The evaporation fields of the superstructure and the pseudomorph contacting the substrate W surface are found to be more dependent on temperature than the overlayer.
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