水素ガス反応性スパッタ法a-C:H薄膜の半導体化

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概要

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• Some metals, B, P, and Al etc., introduced to a-C : H films prepared by hydrogen reactive sputtering were investigated for dopants applicable to a-C : H films from temperature dependencies of surface electrical resistivity.<BR>Phosphorus and aluminum were appropriate for dopants since they showed reciprocal temperature dependencies of resistivity, while boron did not showed it on a-C : H deposited below 100°C.

• 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文

著者

• 田中 雅子

  (株)明電舎基盤技術研究所

• 森川 良樹

  (株)明電舎

• 渡辺 三鈴

  (株)明電舎開発本部

• 河上 和彦

  (株)明電舎開発本部

• 林 正夫

  (株)明電舎開発本部

• 羽場 方紀

  (株)明電舎開発本部

• 森川 良樹

  (株)明電舎開発本部

• 田中 雅子

  (株)明電舎開発本部

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