イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高電流利得化

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概要

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• We demonstrate triple ion implanted 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT). By etching the extrinsic base regions using inductively coupled plasma dry etching, the characteristics of triple ion implanted 4H-SiC BJT were significantly improved. Maximum common emitter current gain was improved from 1.7 to 7.5.

著者

• 田島 卓

  法政大学　マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 中村 善

  法政大学　マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 佐藤 政孝

  法政大学　マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

• 中村 徹

  法政大学　マイクロ・ナノテクノロジー研究センター

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