光電子分光法(2)局所励起によるサテライト[含 英語文]
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Photoemission process leaves the target system in various final states that are lacking one electron with respect to the initial state. Except for the trivial noninteracting case, the final-state effects result in separate features in the photoemission electron spectra (PES). They are distinguished as the main feature and its satellites. Knowledge about those features for a given material is fundamentally important in understanding the electronic property of the material. We discuss the main and satellite features signaled in PES especially when the final states are reached by the local excitations, usually corresponding to the atoms, molecules, or strongly correlated electron solids like transition metal or rare earth metal compounds or several organic compounds. In particular, we focus on a few famous and prototypical PES problems of transition metal compounds (i.e., 3d-valence insulators, or sometimes narrow band 3d metals) and their understanding. : 光電子を放出した後の試料内原子は,初期状態に比べて電子が一つ少ない終状態をとる.この終状態には様々な状態があるため,終状態に存在する正孔と電子が相互作用しない場合を除いて,光電子スペクトル(PES)にはサテライト構造が見られる.これらサテライトピークは主ピークと区別される.ある材料系におけるサテライト構造に対する知見は,材料の電子状態を理解するための基本として重要である.本稿では,特に局在化した励起過程を経て終状態に至る場合にPESにおいて見られる主ピークとサテライトピーク構造について議論する.これらは,原子,分子,あるいは遷移金属や希土類金属の化合物,いくつかの有機材料などの強相関電子系固体において見られる現象である.本稿では特に,遷移金属化合物(すなわち,3d 価電子絶縁体,あるいは狭バンド3d 金属)に見られるいくつかの有名で基本的なPES 問題とその解釈について述べる.
- 表面分析研究会の論文
表面分析研究会 | 論文
- バイオ関連評価におけるTOF-SIMSの可能性
- 最適化された低エネルギー一次イオン照射下におけるTOF-SIMSサンプリング深さの極浅化
- X線定在波法によるSrTiO3結晶のサイト選択的XPS測定
- 集束イオンビームを用いて作製した薄片試料による深い界面のオージェ電子分光法スパッタ深さ方向分析
- ポーラスな試料のAES分析用断面作製技術