研究解説 : Si中の転位によるフォノン散乱と熱伝導
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概要
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低温の熱伝導度は格子欠陥に敏感である．本稿では，転位によるフォノンの散乱機構について解説するとともに，Si単結晶の実験結果から得られた知見について報告する．
- 東京大学生産技術研究所,Institute of Industrial Science. University of Tokyo,東京大学生産技術研究所 第1部 材料力学（物性）,東京大学生産技術研究所 第1部 材料力学の論文
- 1974-01-01
著者
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