p-Si/beta-FeSi2/n-Si double-heterostructure light-emitting diodes achieving 1.6 µm electroluminescence of 0.4 mW at room temperature
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Electroluminescence at an emission power of over 0.4 mW is achieved at an emission wavelength of 1.6 µm using a p-Si/beta-FeSi2/n-Si double-heterostructure light-emitting diode. This emission power is obtained at room temperature under current injection of 460 mA, corresponding to an external quantum efficiency of approximately 0.1%. Photoluminescence and time-resolved photoluminescence measurements for devices with different thicknesses of beta-FeSi2 indicate that radiative recombination rate increased as the thickness of the beta-FeSi2 active layer is increased.
論文 | ランダム
- 組対部門以外でも役立つ 犯罪組織からの資金はく奪について(4)警察のとるべき方策(前)
- 組対部門以外でも役立つ 犯罪組織からの資金はく奪について--組織的犯罪処罰法の活用を中心に(3)
- 組対部門以外でも役立つ 犯罪組織からの資金はく奪について--組織的犯罪処罰法の活用を中心に(2)
- 組対部門以外でも役立つ 犯罪組織からの資金はく奪について--組織的犯罪処罰法の活用を中心に(新連載・1)
- 暴力団排除のための前科要件の活用