in-situ CVD法によって成長したCr・Si系単結晶
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概要
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Single crystals of Cr・Si system have been grown by in-situ CVD process. They were classfied into three types ; (1) hollow pillar crystals of Cr_3Si_2 composition which have the tetragonal structure and a rectangular cross section, (2) hollow hexagonal pillars of Cr_5Si_3 composition with the hexagonal structure and (3) polyhedral crystals of Cr_3Si composition which have the cubic structure and {110} facets. Morphological studies of these crystals were carried out by SEM. Their crystal system and lattice constant were determined by X-ray methods.
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