溶液成長法により作製したPbS薄膜の膜質の成長時間依存性(簿膜プロセス・材料,一般)
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概要
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溶液成長法によってガラス基板上及びn-Si(111)基板上にPbS薄膜を作製した.溶液温度の高い条件で作製したガラス基板上PbS薄膜は光導電率・暗導電率比が低下した.PbS/n-Siダイオード構造を作製した場合,整流特性が悪化することがわかった.成長期間を変えてPbS薄膜を作製し,光導電率・暗導電率比を調べることで,溶液の反応初期段階で成長した薄膜とそれ以降で成長した薄膜の特性には大きな差が出ることを明らかにした.反応初期段階の溶液をダイオードの作製に用いることで,ダイオードの整流特性を向上させることに成功した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17