31p-PS-149 超伝導性光伝導現象I : Cu-系(31p PS 低温(酸化物超伝導))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1989-03-28
著者
関連論文
- 4p-D-8 AgBr 微細結晶内のパルス光伝導 II
- 2p GE-5 AgBr微細結晶内のパルス光伝導
- 2a-G-8 CDWの非線形誘電効果(II)
- 5p-M-3 CDWの非線形誘電効果
- 4a-F-10 非接触電極によるモリブデンブロンズの伝導測定
- 2p GB-11 AgBrに於ける励起子発光の磁気円偏光測定
- 3P-DR-17 AgBrの新しい固有発光線 II
- 3p-BG-3 AgBrの新しい固有発光線
- 6a-G-2 高密度励起状態に於けるAgBrの発光 III
- 12p-T-19 高密度励起状態におけるAgBrの発光
- 30p-W-3 炭素クラスターC_のパルス光伝導
- 30a-C-3 酸化物絶縁体Nd_2CuO_4のパルス光伝導II
- 27a-M-8 酸化物絶縁体Nd_2CuO_4のパルス光伝導I
- 5a-M-3 臭化銀(AgBr)の正孔のサイクロトロン共鳴
- 11p-H-6 AgBrにおけるホットポーラロンのサイクロトロン共鳴(II)
- 3a-H-4 ポーラロンのサイクロトロン共鳴の温度依存性 : AgBr
- 4p-N-8 銀ハライドのサイクロトロン共鳴(III)AgBrのポーラロンバンド
- 1p-TB-5 銀ハライドのサイクロトロン共鳴(II)Polaron mobility
- 1p-TB-4 銀ハライドのサイクロトロン共鳴(I) Polaron mass
- TlBrのサイクロトロン共鳴 : 半導体 (化合物, その他)
- 8p-G-1 10GHz帯SQUIDの試作
- 30p-W-1 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 III
- 30a-C-2 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 II
- 27a-M-6 高密度励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴
- 4a-E-17 Cu_2Oのマイクロ波光伝導応答 : 温度依存性とサイクロトロン共鳴
- 30a-Y-13 超伝導性物質のパルス光伝導 V : Y_-Ba_x-Cu_3-O_z系
- 5p-C-12 超伝導性物質のパルス光伝導 IV
- 5p-C-10 直交する電場・磁場内のCu_2Oのパルス光伝導
- 5a-S4-15 超伝導性物質のパルス光伝導II : La-Cu-O系
- 5a-S4-13 直交する電場・磁場内のCdSのパルス光伝導(II)
- 4a-KD-7 TTF-TCNQの低温における非線形効果(II)
- 若き日の青木昌治教授とBi_2Te_3の思い出
- 30p-W-2 正規組成TiO_2の低温での電子易動度
- 27p-APS-80 BaPb_Bi_xO_3の光伝導でみる電子構造と光遷移
- 30a-C-1 AgCl_xBr_混晶内ポーラロンのサイクロトロン共鳴 II : マイクロ波電場依存性
- 27p-X-6 絶縁相の光伝導と超伝導との相関
- 24a-W-5 高純度AgCl_xBr_混晶の赤外反射スペクトル
- 27a-M-7 Y_2Cu_2O_2のパルス光伝導
- 4a-E-16 Bi_2O_3;M^(M=Sr,Ca,Cu)単結晶のパルス光伝導 II
- 4a-E-15 AgCl_xBr_ 混晶内の自由励起子発光
- 30a-Y-12 Bi_2O_3; M^(M=Sr,Ca,Cu)単結晶の作製とパルス光伝導
- 30a-Y-11 AgCl_xBr_混晶内ポーラロンのサイクロトロン共鳴 : マイクロ波電場依存性
- 27p-HF-1 TTF-TCNQの低温における高電界効果
- 2a-Z-13 高密度励起状態における AgBr-AgCl 混晶の発光 II
- 3P-DR-18 高密度励起状態におけるAgBr-AgCl混晶の発光 I
- 1a-S-9 擬1次元導体TTF-TCNQのパルス光伝導(II) : 負の磁気抵抗
- 4p-D-9 TTF-TCNQ のパルス光伝導 (I)
- 30a-M-7 応力場におけるAgBrの新しい系列の発光線
- 29p-B-14 応力場におけるAgBrの発光
- 30a-L-15 35GHz帯SQUIDの改良と超高速化
- 5a-AB-11 10GHz帯SQUIDの試作と改良
- 5p-C-11 半磁性半導体Cd_Mn_XTeのパルス光伝導 III
- 5a-S4-14 半磁性半導体Cd_Mn_xTeのパルス光伝導II
- 31a-K-3 AgClに於けるポーラロンのサイクロトン共鳴
- 第18回半導体物理学国際会議
- 28a-LN-12 高密度励起状態AgClxBr_混晶の光伝導と発光[IV](イオン結晶・光物性)
- 1a-L2-13 半磁性半導体Cd_Mn_xTeのパルス光伝導I(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 1a-L2-12 高電場・強磁場内CdSのパルス光伝導(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 28a-LN-11 極低温での超高純度AgBr内励起子系の緩和機構III(イオン結晶・光物性)
- 28a-LN-10 超高純度AgCl,AgBr結晶の非線形パルス光伝導(イオン結晶・光物性)
- 31p-PS-149 超伝導性光伝導現象I : Cu-系(31p PS 低温(酸化物超伝導))
- 31p-D5-1 ^3He温度域(〜500mk)までのAgBrの発光測定(31p D5 イオン結晶・光物性(色中心・不純物中心・欠陥生成),イオン結晶・光物性)
- 31p-H-1 亜酸化銅Cu_2Oのパルス光伝導(31pH 半導体(輸送現象))
- 31p-H-2 超伝導性物質のパルス光伝導III : Ba-Pb-Bi-O系(31pH 半導体(輸送現象))
- 28a-P-6 TTF-TCNQにおける誘電効果 (II)(28aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(TMTSF塩など))