1p-BG-7 シリコン半導体を用いた重水素負イオンの生成(1p BG 表面・界面)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1986-03-29

著者

• 津守 克嘉

  京大ヘリオトロン

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