29p-FB-12 GaSeへのイオン注入による格子変化過程(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1986-03-29

著者

• 神部 信幸

  NTT電気通信研究所

• 石井 隆生

  NTT電気通信研究所

• 浅野 義広

  NTT電気通信研究所

関連論文

• 28p-B-2 イオン注入GaSeのフォトルミネッセンス
• 29p-FB-12 GaSeへのイオン注入による格子変化過程(29p FB 半導体(グラファイトインターカレーション・層状物質))

スポンサーリンク