3p-D6-3 SnO_2単結晶中のCrイオンのEPR(I)(3p D6 磁気共鳴)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1985-03-31
著者
関連論文
- 29a-S-1 a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールIII
- 31p-F-1 aーSi:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニール
- 29p-X-4 a-Si:Hにおける光誘起、熱誘起欠陥に対するアニール効果
- 30a-W-9 a-Si:H、a-Si:DのESRスペクトルの解析とアニール効果
- 29p-B-5 a-Si:HのESRスペクトルの解析と光照射効果
- a-Si:Hにおけるダングリングボンドの光誘起アニールII
- 3a-J-6 a-Si:H, a-Si:DにおけるダングリングESRスペクトルの解析
- 30p-X-6 SnO_2:Cr^のEPRスペクトル(EPR)_IIのsuperposition model
- 30a-F-10 アモルファス水素化シリコンの帯磁率
- アモルファス水素化シリコン薄膜中の水素分析
- 8a-B-14 CdIn_Cr_S_4中のCrイオンの磁気共鳴(II)
- 14p-W-9 スピネル型化合物半導体CdIn_2S_4;Cr^の磁気共鳴
- 5a-P-10 Ba-フェライト置換体のMossbauer効果
- 27a-S-9 SnO_2結晶のくりかえし双晶
- 2p-G-13 SnO_2単結晶のバンドΓ^+_3についての一考察
- アモルファス水素化シリコン薄膜中の水素分析
- 27p-I-8 SnO_2単結晶中のCrイオンのEPR(III)(磁気共鳴)
- 29a-CM-2 SnO_2単結晶中のCrイオンのEPR(II)(磁気共鳴)
- 3p-D6-3 SnO_2単結晶中のCrイオンのEPR(I)(3p D6 磁気共鳴)