3p-D2-10 超薄膜ヘテロ構造界面の電子帯構造の非破壊深さ方向解析(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
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