非接触給電用GaN FETの高周波駆動対応ゲートドライブ回路(エネルギー技術,ワイヤレス給電関連,半導体電力変換一般)
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概要
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本論文では,プッシュプルE級コンバータを用いた非接触給電回路をGaN FETで動作させる。しかしながら,GaN FETはゲートにダイオード特性を持っているため,GaN FET専用のゲート駆動回路が必要となる。そこでGaN FETの高周波駆動に用いるため3つのゲートドライブ回路を紹介し,それぞれスイッチング損失・導通損失の観点から比較検討を行い,最適なドライブ回路を選定する.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-18
著者
-
山本 真義
島根大学総合理工学部
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今岡 淳
島根大学総合理工学部
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西垣 彰紘
島根大学総合理工学部
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吉田 尭
島根大学総合理工学部
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金澤 康樹
島根大学総合理工学部
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梅上 大勝
島根大学総合理工学部
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服部 文哉
島根大学総合理工学部
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