本質的なグラフェン/金属界面特牲(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

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概要

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• レジストフリープロセスを用いて得られた結果に基づき本質的なグラフェン/金属界面特性を議論し,コンタクト抵抗低減への指針を示す.

• 2013-01-23

著者

• 長汐 晃輔

  東京大学 マテリアル工学専攻

• 西村 知紀

  東京大学 マテリアル工学専攻

• 鳥海 明

  東京大学 マテリアル工学専攻

• 森山 喬史

  東京大学 マテリアル工学専攻

• 井福 亮太

  東京大学 マテリアル工学専攻

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