2D10 強誘電率半導体の電気伝導について(その一) : 酸化タングステン、酸化チタン、チタン酸バリウム等の高電場における非オーム的性質(2D 半導体 一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1954-04-01
著者
関連論文
- 16C8. 半導体整流器のcreepの理論について
- 3F8 高電圧高電流パルス波による半導体の測定装置について
- 2D10 強誘電率半導体の電気伝導について(その一) : 酸化タングステン、酸化チタン、チタン酸バリウム等の高電場における非オーム的性質(2D 半導体 一般)
- 30C5 強電流密度における半導体整流器の性質について(30C 半導体)