30p-LD-8 GaAs/AlAs半導体量子井戸における電子の(Γ,L)バレー間散乱(半導体)

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1987-03-27

著者

• 重川 直輝

  NTT電気通信研究所厚木研究所

• 水谷 孝

  NTT電気通信研究所厚木研究所

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