7pPSB-5 n型狭ギャップ半導体の非放物型伝導帯における電子励起(領域4)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2002-08-13
著者
関連論文
- 24aYN-3 変形に対する単層カーボンナノチューブの安定性(ナノチューブ物性1(電子物性・構造他),領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aPS-27 n型InSb表面のキャリア涸渇層形成過程における表面電子状態(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXF-6 グラファイト層間相互作用の第一原理計算とその限界
- 21pYE-9 n型InAs表面キャリア蓄積層の電子構造(表面・界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27pPSA-5 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモンIII(領域9ポスターセッション)(領域9)
- 23aYE-12 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン II
- 22aYD-8 狭ギャップ半導体表面におけるキャリア蓄積層形成過程 : 伝導帯非放物型分散の効果
- 22aZC-5 固相-液相転移に対する計算機実験の限界
- 28p-XC-8 モンテカルロ法によるC_分子系の相図の計算
- 29pZB-14 C_ 固体の分子間相互作用と規則-不規則配向相転移
- 25pXA-8 圧力下におけるC_固体の状態方程式と規則-不規則配向相転移 : モンテカルロ法による計算
- 31pZE-3 帯状金属単原子吸着層に生ずる低次元プラズモン
- 19pPSB-50 高分解能電子エネルギー損失分光におけるプローブ分散領域の運動学的解析
- 28pXE-1 電子遷移過程のレベルで視た微粒子4重極表面プラズモンの内部構造
- 24aPS-46 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり II
- 24pW-15 キャリア涸渇層形成過程における半導体表面素励起の移り変わり
- 28a-Q-7 ドープした化合物半導体の表面素励起に及ぼすキャリア涸渇層の効果
- 27a-YK-13 ドープした半導体薄膜におけるキャリア電子状態の膜厚依存性
- 1p-YE-6 半導体表面でのキャリア涸渇層あるいは蓄積層形成過程における電子状態の変化
- 5p-H-4 球面上および平面上での電子気体励起の類似と相違
- 29p-G-9 微粒子に生ずる表面および体積プラズモンの内部構造
- 6pPSB-11 有限領域金属原子吸着層に生ずる低次元電子励起(表面界面結晶成長,領域9)
- 7pPSB-5 n型狭ギャップ半導体の非放物型伝導帯における電子励起(領域4)