準ミリ波以上の周波数領域におけるLC電圧制御発振器の共振器回路のQ値向上手法の検討
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概要
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準ミリ波以上の高周波領域においては,共振器のQ値に対してバラクタのQ値が支配的となる.本稿ではMOSバラクタのQ値がゲートのW/Lに依存し,あるW/Lより微細化してもQ値の改善は飽和することを見いだしそのモデル化を行った.また,モデルの妥当性を検証するために,W,Lの異なるMOSバラクタおよびそれらを用いた発振周波数21GHzのVCOを試作しモデルの妥当性を確認した.
- 2013-02-27
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