2.2 ガンマ線および中性子照射誘起絶縁劣化(2.材料の物性値に対する放射線照射誘起効果,<小特集>放射線照射環境下における材料物性値のその場測定)
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概要
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シリコン炭化物(SiC)は優れた熱的および機械的特性を有するため,実用型核融合炉内で使用される絶縁材料の候補の一つとして挙げられている.本研究では,放射線照射環境下に曝されたSiCの電気特性の変化について調べるため,ガンマ線および高速中性子照射下において,大気雰囲気および室温で化学蒸着(CVD)法によって作製されたSiC(CVD-SiC)の電気伝導度をその場で測定した.ガンマ線および高速中性子照射下における電気伝導度は照射前の伝導度よりも約1.3〜3倍高い値を示し,照射誘起伝導度(RIC)が観測された.さらに,照射後の電気伝導度は線量および照射量の増加と共に徐々に増加し,照射誘起絶縁劣化(RIED)が生じることもわかった.これらの照射誘起現象について,RICは主に電子励起効果によって生じ,また,RIEDはSiC表面に形成されている酸化物層が放射線により分解され,表面がカーボンリッチになるために生じることが判明した.
- 2014-01-25
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