Ge量子細線における電子状態(半導体材料・デバイス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Geが有する8個の谷に対する有効質量方程式を解く手法を用いて,Ge量子細線における電子状態を求め,最も伝導方向有効質量が軽い谷が基底レベルとなる条件を考察した.具体的には,(i){111}面上の細線のみが上記の条件を満たし得ること,(ii)細線断面形状の幅に対する高さの比が小さくなるほど上記条件を満たしやすいこと,(iii)<110>方向細線が最もこの条件を満たしやすいこと,を明らかにした.また,断面形状が正方形,円形である{111}面上の細線は細線方向に依らず必ずこの条件を満たすことを示した.更にこの条件が,Ge量子細線が直接遷移型バンドギャップを有する条件と同一であることを示した.
- 2013-10-01