相変化メモリの環境温度依存性評価
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概要
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相変化メモリは高速で書込みが可能で多値化や微細化に向いている次世代不揮発性メモリの一つである.材料にはカルコゲナイドを使用しており,アモルファス相と結晶相の間で起こる相変化による抵抗値の変化を情報として記録する.しかし,熱によって生じる相変化を利用しているため,周囲の温度に影響を受ける可能性がある.そこで本研究では,環境温度による抵抗値の変化や書込み時の影響などを検証する.25℃の室温時に比べて85℃の高温時には,RESET抵抗値が約85%,SET抵抗値が約70%程度低くなることが分かった.また,高温にするとSET動作は容易になるが,一方で,RESET動作は困難になることを確認した.
- 2012-12-10