27aXK-8 極性半導体ZnOの表面電子状態(27aXK グラフェン・半導体,領域9(表面・界面,結晶成長))
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概要
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- 2013-03-26
著者
-
石坂 香子
東京大学物性研究所
-
下志万 貴博
東大物性研:jst-trip:jst-crest
-
塚崎 敦
東大新領域
-
片山 明彦
東工大
-
辻 英徳
東工大
-
坂野 昌人
東工大
-
下志万 貴博
東工大
-
石坂 香子
東工大
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