26aXG-4 Ba(Fe_<1-x>TM_x)_2As_2 (TM=Rh,Ir)の面内電気抵抗率の異方性(26aXG 鉄砒素系1(輸送特性・光電子分光・理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
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概要
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- 2013-03-26
著者
-
内田 慎一
東大理
-
木方 邦宏
産総研
-
伊豫 彰
産総研
-
永崎 洋
産総研
-
石田 茂之
産総研
-
中島 正道
産総研
-
掛下 照久
東大院理
-
中島 正道
東大理
-
掛下 照久
東大理
-
伊予 彰
電総研
-
中島 正道
東大理:jst-trip
-
氷崎 洋
Stanford大
-
石田 茂之
東大理:産総研:jst-trip
-
永崎 洋
産総研:JST, TRIP
-
木方 邦宏
産総研:TRIP
-
永崎 洋
産業技術総合研究所:JST-TRIP
-
石田 茂之
産総研:東大院理
-
三上 拓也
東大理
-
劉 亮
東大理
-
中島 正道
JST-TRIP:産総研
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