III-V族窒化物薄膜の太陽電池応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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概要

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• III-V族窒化物のワイドギャップ性を利用した太陽電池構成を提案する。既存の太陽電池上にIII-V族窒化物太陽電池を設置し、2つの太陽電池から独立に電力を得ることで(4端子素子)、電流マッチングを考慮せずに変換効率の向上を図れる。III-V族窒化物太陽電池用に厚い(0.3μm)InGaN薄膜の欠陥を評価したところ、混晶化にともないGa空孔および酸素不純物との複合欠陥が増加することがわかった。p-InGaNと活性層であるi-InGaNとの間に800℃で成長した2nm程度のAlN極薄膜を挿入することで変換効率が向上した。転位や点欠陥が低減されてp-i界面の高品質化が特性向上につながったと思われる。

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-11-22

著者

• 角谷 正友

  (独)物質・材料研究機構ワイドギャップ機能材料グループ:JST-ALCA,科学技術振興機構

• Sang Liwen

  (独)物質・材料,研究機構ICYS-MANA

• Lozach Mickael

  筑波大学連携大学院物質・材料工学専攻

• Liwen Sang

  (独)物質・材料研究機構ICYS-MANA

• Liwen Sang

  (独)物質・材料,研究機構ICYS-MANA:JST-PRESTO,科学技術振興機構

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