19aFB-4 量子ホール状態v=2/3における磁気抵抗値の温度変化(19aFB 量子ホール効果(分数量子ホール効果・核スピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2012-08-24

著者

• 津田 是文

  京大院理

• 福田 昭

  兵庫医科大物理

• 寺澤 大樹

  兵庫医科大物理

• Nguyen Minh-hai

  京大院理

• 沢田 安樹

  京大低温セ

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