C-12-45 ボディタイ付きSOI MOSFETで発生する急峻なサブスレッショルド特性の解析(デバイス・回路協調設計技術(2),C-12. 集積回路,一般セッション)

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概要

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• 2012-08-28

著者

• 井田 次郎

  金沢工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 森 貴之

  金沢工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 田篠 奏

  金沢工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 菊他 邦孝

  金沢工業大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

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