C-11-1 CVD-SiO_2膜のリーク電流特性劣化要因の実験的解析(C-11. シリコン材料・デバイス,一般セッション)

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概要

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• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2012-08-28

著者

• 勝山 清美

  (株)日立製作所情報・通信システム社マイクロデバイス事業部

• 石井 雪乃

  (株)日立製作所情報・通信システム社マイクロデバイス事業部

• 佐藤 英紀

  (株)日立製作所情報・通信システム社マイクロデバイス事業部

• 太田 陽介

  (株)日立製作所情報・通信システム社マイクロデバイス事業部

• 廣瀬 義朗

  (株)日立国際電気電子機械事業部富山工場

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