25aBJ-7 巨大ラシュバ効果半導体BiTelにおける磁気抵抗のフェルミレベル依存性(25aBJ トポロジカル絶縁体(物質探索,巨大Rashba系),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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概要
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- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 2012-03-05
著者
-
金子 良夫
ERATO
-
村川 寛
京大院理:(現)jst Erato-mf
-
Bahramy M.
理研CERG
-
村川 寛
理研CERG
-
十倉 佳紀
理研CERG:ERATO-MF東大工
-
Checkelsky J.
理研CERG
-
Hwang H.
理研CERG
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