24aBA-4 Fano-Feshbach分子生成率のMCシミュレーション : 位相空間制約条件に対する依存性(24aBA 量子エレクトロニクス(Bose-Fermi混合系の理論,Fermi粒子系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 渡辺 信一

  電通大先進理工

• Greene Chris

  Jila

• Zhang Chen

  コロラド大学

• 山越 智健

  電通大先進理工

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