InP光変調器(高速光変調器-マイクロ波フォトニクスのキーデバイス-)
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概要
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半導体光変調器は,小型で低駆動電圧での動作が可能という特徴から注目を集めている.特にInP材料を用いた半導体光変調器は,光通信用半導体レーザとの集積が可能という特徴を持つため,光変調器を集積した光源や光集積回路の研究・開発が精力的に進められている.半導体光変調器では,外部電気信号でその吸収係数や屈折率を制御することで光に強度や位相情報を重畳する.その際に物理現象として量子閉じ込めシュタルク効果やキャリアプラズマ効果,電気光学(E/O)効果が用いられている.本報告では,このInP光変調器の動作原理やデバイス構造を概説し,最近の研究開発の現状を紹介する.
- 2012-03-30
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