3-1 Siパワーエレクトロニクス(最先端IGBT)の最新動向(3.パワーエレクトロニクスの最前線,<特集>世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)

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概要

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• エネルギー需要は増加の一途であり,パワーエレクトロニクス技術の発展によるエネルギーの効率的な運用が必要不可欠である.パワーエレクトロニクスのキーデバイスであるIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)は,チップの構造・プロセス設計技術だけでなく,高温化・高信頼性を追及したパッケージ技術も合わせて重要な技術要素を基に成り立っている.これら技術要素を含めた最先端IGBTの動向を述べる.

• 2012-11-01

著者

• 佐藤 克己

  三菱電機株式会社パワーデバイス製作所

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