マスクレスサファイア加工基板上非極性面窒化物半導体の結晶成長メカニズム(<特集>次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
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概要
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我々はサファイア加工基板の側壁よりGaNを選択成長させる手法を用いて非極性面GaNの結晶成長に取り組んできた.その結果,サファイア加工基板上非極性面GaNの結晶成長は成長阻害層を用いなくとも実現できることが分かってきた.本稿ではこのマスクレスサファイア加工基板上のGaNの成長メカニズムを低温バッファー層,窒化処理,オフ角を切り口に紹介する.成長メカニズム解析の結果,マスクレスサファイア加工基板上非極性面GaNの結晶成長は新規的な選択成長法であることが分かった.
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