半導体レーザ側面励起Nd:YVO_4ピコ秒レーザによる高出力1.5μm光パラメトリック発生(レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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我々は,側面励起Nd:YVO_4スラブバウンス増幅器からなる高平均出力ピコ秒レーザを励起光源として,擬似位相整合デバイスである周期分極反転定組成タンタル酸リチウム結晶(PPSLT : periodically poled stoichiometric lithium tantalite)を用いた光パラメトリック発生器/増幅器を開発した.このシステムを用いて最大出力1.1W (励起光8.1W入射時)の1.5μm帯ピコ秒パルス光発生に成功した.このときの光-光変換効率は13.8%,発生した1.5μm光のピーク強度は0.3MWに達した.
- 2012-02-01
著者
-
宮本 克彦
理化学研究所 仙台
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尾松 孝茂
千葉大学大学院 融合科学研究科
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宮本 克彦
千葉大学大学院融合科学研究科
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尾松 孝茂
千葉大学大学院融合科学研究科
-
小市 真樹
千葉大学大学院融合科学研究科
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宇治田 秀人
千葉大学大学院融合科学研究科
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斎藤 岳史
千葉大学大学院融合科学研究科
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