22pEC-3 量子ドットスピン量子計算の進展(22pEC 領域1,領域4合同シンポジウム:多様な物理系の量子制御と量子情報処理の科学,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
25pXG-11 縦型二重量子ドットにおける電子スピン-核スピン結合ダイナミクス(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25pXG-10 超微細相互作用を利用した縦型二重量子ドット中の核スピン双方向分極制御(量子ドット(スピン制御),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
21aHV-11 縦型二重量子ドットを用いた核スピン双方向分極制御とパルスNMR(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
30pTX-15 異なるg因子を持つ縦型二重量子ドットにおける核スピン効果とNMR応答(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24aRA-10 Grapheneの磁場中STS観測(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
-
25aXG-8 量子ドット複合系の近藤効果による熱起電力(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
25aXG-11 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導特性のサイドゲート制御(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
22pYK-8 ナノスケール強磁性電極を有する電子フォーカシング素子における不均一磁場効果の観測(22pYK 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
20pYF-6 自己形成InAs量子ドット/超伝導接合系における超伝導電流の観測(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24pK-2 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列の超伝導・絶縁体転移II
-
24pK-1 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列における超伝導臨界電流
-
27aD-3 並列抵抗を付加した微小ジョセフソン接合2次元配列の超伝導・絶縁体転移
-
20pYF-10 電荷計による、縦型単一、二重量子ドットの電子数検出(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26aWH-9 電子フォーカシングを用いたStern-Gerlach効果の観測(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
23pWH-7 Grapheneの磁場中STM/STS観測(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
-
29pXB-5 量子ドットにおける単一電子緩和の時間的挙動(29pXB 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
24pWQ-9 縦型二重量子ドットにおける核スピン分極の高速電圧制御(24pWQ 量子ドット,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
-
メゾ・人工物質系 人工原子のスピン効果 (特集号)
-
勝本信吾氏(平成17年度第22回井上学術賞受賞,学界ニュース)
-
平成16年度第50回仁科記念賞; 蔡 兆申氏(学界ニュース)
-
人工原子で量子力学を検証する--量子ドットで作る新しい物理実験系
-
20aPS-7 ABリングに埋め込まれた量子ドット系の熱電特性(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
2003年度サー・マーティン・ウッド賞 ; 藤澤利正氏
-
28pHD-5 軌道縮退アンダーソン模型の電荷搖動の完全係数統計への影響(28pHD 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
27pTA-6 3層グラフェンの電気伝導とバンド構造(27pTA 領域7シンポジウム:グラフェン物性の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
-
24aTR-13 多端子Anderson量子ドット系の完全計数統計とHanbury Brown-Twiss効果(24aTR 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pEC-3 量子ドットスピン量子計算の進展(22pEC 領域1,領域4合同シンポジウム:多様な物理系の量子制御と量子情報処理の科学,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
22pEC-3 量子ドットスピン量子計算の進展(22pEC 領域1,領域4合同シンポジウム:多様な物理系の量子制御と量子情報処理の科学,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
-
26pCE-11 縦型二重量子ドットにおける双方向核スピン分極の定量的評価(26pCE 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
26aXQ-6 GaAs系量子ポイントコンタクトにおけるコンダクタンス揺らぎのゲートバイアス依存性(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク