C-3-81 卍形状の窪みを用いた全誘電体平面キラルナノグレーティングの解析(パッシブデバイス(II),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
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概要
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- 2011-08-30
著者
-
中野 久松
法政大学工学部電子情報学科
-
山内 潤治
法政大学工学部
-
若林 佑
法政大学工学部
-
中野 久松
法政大学工学部
-
中野 久松
法政大学理工学部
-
福井 崇人
法政大学工学部
-
山内 潤治
法政大学理工学部電気電子工学科
-
若林 佑
法政大学理工学部
-
福井 崇人
法政大学理工学部
-
山内 潤治
法政大学理工学部
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