26aHG-13 補償したトポロジカル絶縁体Bi_2Se_3の磁気輸送特性(26aHG トポロジカル絶縁体(表面状態/輸送現象),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2011-03-03

著者

• 近藤 隆祐

  東大院総合

• 前田 京剛

  東大総合文化

• 前田 京剛

  東大院総合

• 今井 良宗

  東大院総合

• 前田 京剛

  東大総合文化:trip Jst

• 前田 京剛

  東京大学大学院総合文化研究科

• 今井 良宗

  東大総合文化:trip Jst

• 前田 京剛

  東大院総合文化:jst Trip

• 吉中 泰輝

  東大院総合

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