高分子基板上でのa-IGZO TFTの形成(ディスプレイ用新材料)

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概要

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フレキシブルディスプレイ用途として、アモルファスIn-Ga-Zn酸化物を用いた薄膜トランジスタを室温にプラスチック基板上に作製した。素子構造はコプラナー型トップゲート構造を採用した。プラスチック基板に適広させるため、室温スパッタグング法等を用ひた低温プロセスで全ての膜を室温で成膜した。作製したデバイスは150℃という低温での熱処理を行うことにより、電界効果移動度7.4cm^2/Vs、しきい値電圧0.3V、Sパラメーター0.29V/decade、電流のon-off比10^8という良好な特性を得た。これらの特性は、60℃ and 90%RHにおける環境試験250時間実施後でもわずかな変化しか認められなかった。またヒステリシスにおいてもΔV_<th> 0.5Vと安定した結果であった。
2011-02-25

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