21aGL-8 分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究 : I-V特性のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))

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概要

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• 2010-03-01

著者

• 洗平 昌晃

  東北大WPI-AIMR

• 塚田 捷

  東北大WPI-AIMR

• 塚田 捷

  東北大wpi-aimr:crest-jst

• 洗平 昌晃

  東北大wpi-aimr:crest-jst

• 塚田 捷

  東北大WPI

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