LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析 I
スポンサーリンク
概要
著者
-
Dost S
Univ. Victoria B.c. Can
-
Dost Sadik
Center For Advanced Materials And Related Technology And Department Of Mechanical Engineering Univer
-
Dost Sadik
Department Of Mechanical Engineering University Of Victoria
-
Qin Zhong
Center For Advanced Materials And Related Technology And Department Of Mechanical Engineering Univer
-
Qin Zhong
Centre for Advanced Materials and Related Technology, and Department of Mechanical Engineering, Univ
関連論文
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察
- 航空機利用による微小重力環境下におけるInGaSb 半導体の結晶成長
- InSb融液中へのGaSb溶解に対する自然対流とマランゴニ対流効果
- 固体高分子形燃料電池内における移動現象に関する3次元数値解析
- GaSb/InSb/GaSbサンドイッチ構造試料溶融に及ぼす自然対流,マランゴニ対流の影響に関する数値解析
- TED-AJ03-107 NUMERICAL STUDY OF THERMAL AND SOLUTAL MARANGONI CONVECTION IN A 3-DIMENSIONAL FLOATING FULL-ZONE LIQUID BRIDGE
- 641 THM 化合物半導体結晶育成中における固液界面形状制御
- LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析II : 組成変換法への応用
- LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析 I