量子干渉効果を利用した負性抵抗デバイスの一提案

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概要

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• Transmission Coefficient-electron energy characteristics in AlGaAs-GaAs compositival superlattices are calculated. Injecting electrons from AlGaAs cathode to GaAs layer, electrons are reflected slightly at the AlGaAs-GaAs interface. Increasing superlattice cycle, largequantum interference effect appears due to quantum mechanical reflection at respective interface. New negative resistance in AlGaAs-GaAs superlattices owing to quantum interference effects is proposed and analysed. Physics behind negative resistance are discussed.

• 福山大学の論文

著者

• 吉田 直樹

  山梨大 工

• 相島 亜州雄

  福山大学工学部電子・電気工学科

• 吉田 直樹

  福山大学工学部電子・電気工学科

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