第3章 ボローニャ・プロセスへの対応(LMD導入)とプログラム評価 : 国家学位と学位授与権認証をめぐって (フランスの大学評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-03-31
論文 | ランダム
- C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 材料研究の将来に向けて (「金属」創刊75周年記念 特集2 材料が技術に与えたインパクト)
- MGC材料の高温変形 (特集 新しい超耐熱材料--MGC材料の開発最前線(上))
- TZPの高温延性に及ぼすGeO_2-NdO_複合添加効果