Si(100)の準安定構造c(4×4)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 京都産業大学の論文

著者

• 押山 孝

  京都産業大学理学部

• 押山 孝

  京都産業大学理学部物理科学科

• 小林 隆文

  京都産業大学理学研究科物理学専攻

• 桐島 香里

  京都産業大学理学研究科物理学専攻

関連論文

• 不完全結晶表面からの低速電子線回折
• 粒子衝撃脱離に関するデータ収集と評価
• Si(100)の準安定構造c(4×4)
• ブラヴェ格子面からの低速電子線回折
• Si単結晶表面でのTe原子の超格子構造
• 内殻電子のエネルギースペクトルへの格子振動の影響
• 接触電位差測定のための圧電素子駆動 : Kelvinプローブ : プローブの性能
• 高速イオン粒子の面チャネリング効果における透過パターンに対するひとつの拡散モデル

スポンサーリンク