24pZR-6 テラヘルツ時間領域分光法によるモット絶縁体YTiO_3とバンド半導体Siにおける光誘起キャリアの光学特性の比較(24pZR Ti系・その他,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))

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