27pPSA-13 Co-AlOx-Coトンネル素子における高温中での絶縁破壊現象に関する研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Breakdown of Co/AlOx/Co spin tunneling junctions (STJ) at high temperature was studied STJs were fabricated on glass sobatrates by ion-beam mask sputtering. The sputtered Al film was oxidized in pure O_2 gas for 24 hour at room temperature and at 200℃. The current-voltage (I-V) characteristics were measured by the dc 4 probe method. The AlOx barrier height and thickness were evaluated by I-V characteristics from a fit to Simmons-Schottky equation. As a result, the resistance of thermal-oxidized STJs was higher than that of normal-oxidized STJs. Breakdown voltage of thermal-oxidized STJs were tend to be smaller then breakdown voltage of normal-oxidized STJs.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
関連論文
- 18aPS-2 TMR素子Co/AlOx/Coの定電圧印可による絶縁破壊の研究(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 22aPS-71 TMR素子の絶縁破壊(領域3ポスターセッション(薄膜・人工格子,スピングラス,量子スピン系),領域3,磁性,磁気共鳴)
- 18aPS-1 TMR素子の絶縁破壊(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-7 Co/AlO_x/Co TMR素子の絶縁層AlO_xにおける熱酸化の影響III(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-8 TMR素子Co/AlO_x/Coの絶縁破壊に関する研究(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aPS-9 TMR素子の絶縁破壊温度依存性(23aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 27pPSA-13 Co-AlOx-Coトンネル素子における高温中での絶縁破壊現象に関する研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))