27pPSA-13 Co-AlOx-Coトンネル素子における高温中での絶縁破壊現象に関する研究(27pPSA 領域3ポスターセッション 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,微小領域磁性,遍歴磁性,化合物磁性,f電子系磁性磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))

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概要

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• Breakdown of Co/AlOx/Co spin tunneling junctions (STJ) at high temperature was studied STJs were fabricated on glass sobatrates by ion-beam mask sputtering. The sputtered Al film was oxidized in pure O_2 gas for 24 hour at room temperature and at 200℃. The current-voltage (I-V) characteristics were measured by the dc 4 probe method. The AlOx barrier height and thickness were evaluated by I-V characteristics from a fit to Simmons-Schottky equation. As a result, the resistance of thermal-oxidized STJs was higher than that of normal-oxidized STJs. Breakdown voltage of thermal-oxidized STJs were tend to be smaller then breakdown voltage of normal-oxidized STJs.

• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 高橋 肇

  慶大理工

• 高橋 肇

  慶大理工椎木研究室

• 椎木 一夫

  慶大理工椎木研究室

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