1.3-μm帯バルク型半導体光導波路における光位相・光強度変調量の波長依存性(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
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概要
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全光スイッチング素子は全光通信において必要要素の1つであり、小型集積化・高速動作・低エネルギー動作が課題である。これらの特性向上に関して、ナノ半導体構造のフォトニック結晶や量子ドットを用いた光導波路の応用が期待されている。また、高速なスイッチング動作には、π以上の光位相変調量と速い緩和時間が必要となる。そこで我々は、1.3-μm帯におけるナノ半導体とバルク半導体の光位相と光強度変調量の波長依存性(Kramers-Kronig関係式)に注目した。今回、1.3-μm帯バルク型半導体光導波路試料において、光位相変調量について波長依存性を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-05-15
著者
-
上野 芳康
電気通信大学電気通信学部電子工学科
-
上野 芳康
電気通信大学電子工学科
-
本間 正徳
電気通信大学電子工学科
-
SELLERAS Ferran
電気通信大学電子工学科
-
NGUYEN Tuan
電気通信大学電子工学科
-
尾崎 信彦
筑波大学先端学際領域研究センター
-
浅川 潔
物質・材料研究機構
-
Salleras Ferran
電気通信大学電子工学科
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