Temperature Dependent f-Electron Valence of Ion in Two-Level Kondo System(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)

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概要

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• Theory for temperature dependent valence of Sm ion in magnetically robust heavy fermion system SmOs_4Sb_<12> is presented on the basis of the two-level (or double-well) Kondo model. It is shown that the conduction electrons with f-symmetry accumulate on the ion tunneling between double well potential when the temperature is decreased across the Kondo temperature.

• 社団法人日本物理学会の論文
• 2009-03-15

著者

• 三宅 和正

  阪大基礎工

• MIYAKE Kazumasa

  Division of Materials Physics, Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engin

• Miyake Kousaku

  Graduate School Of Science Osaka University:(present Address)institute For Chemical Research Kyoto U

• Miyake Kousaku

  Graduate_school Of Science Osaka University

• Miyake Kazumasa

  Division Of Endocrine Surgery Kawasaki Medical School.

• Maezawa K

  Nagoya Univ. Naogya Jpn

• Kosaki Masato

  Graduate_school Of Science Osaka University

• TANIKAWA Shinya

  Division of Materials Physics, Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engin

• MATSUURA Hiroyasu

  Division of Materials Physics, Department of Materials Engineering Science, Graduate School of Engin

• Matsuura Hiroyasu

  Division Of Materials Physics Department Of Materials Engineering Science Graduate School Of Enginee

• Motoki K

  Tokushima Univ. Tokushima

• Miyake Kazumasa

  Division Of Materials Physics Department Of Materials Engineering Science Graduate School Of Enginee

• Tanikawa Shinya

  Division Of Materials Physics Department Of Materials Engineering Science Graduate School Of Enginee

• Matsuura Hiroyasu

  Division Of Materials Physics Department Of Materials Engineering Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University

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