GaN HEMTを用いたX帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニット

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概要

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• 送信最終段にGaN HEMTを用いた高出力送信回路,および低雑音受信回路を各16系統内蔵し,それぞれの回路にMMICを用いた位相制御機能を付加した,X帯アクティブフェーズドアレーアンテナ用アンプユニットを開発した.パルス動作において1系統あたりの送信出力がユニット出力端で30W(全系統の合計送信出力480W)となる送信性能を確認し,さらに移相性能と受信性能についても良好な結果を得た.これにより,アクティブフェーズドアレーアンテナの高出力化が可能となる.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-12-05

著者

• 熊本 剛

  株式会社東芝小向工場

• 中田 大平

  株式会社東芝

• 鈴木 亮太

  株式会社東芝社会システム社小向工場

• 佐竹 芳彰

  株式会社東芝社会システム社小向工場

• 菅藤 和博

  株式会社東芝社会システム社小向工場

• 中田 大平

  株式会社東芝社会システム社小向工場

• 鈴木 亮太

  株式会社東芝

• 熊本 剛

  株式会社東芝

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