ポリ(3-ヘキシルチオフェン)LB膜の作製と評価 : ポリ(3-ヘキシルチオフェン)LB膜作製と発生電圧測定(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
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概要
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バルクにおいてポリチオフェンや金は高い導電性を持つが,高い導電性を保持したまま数ナノメートルオーダーの薄膜が作製できれば分子素子の面からも非常に興味深い.本研究ではポリ(3-ヘキシルチオフェン)をLangmuir-Blodgett法で薄膜を作製し,電気化学的にドーピングを試みた.ドーピングしたLB膜を金とアルミニウムの蒸着膜間に挟んだサンプルからの電圧発生が観測された.発生電圧には時間依存性があることが分かった.電気化学ドーピングによって発生電圧が上昇したことが測定された.
- 2008-10-31
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