2次高調波注入によるGaN HEMT電力増幅器の高効率化に関する解析および実験(マイクロ波/一般)
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概要
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2次高調波注入による非線形効果を利用した,マイクロ波GaN HEMT電力増幅器の高効率化手法を提案する.適切なレベル・位相に調整した2次高調波を増幅器入力へ注入することで,ドレイン電流のクリッピングを意図的に発生させ,基本波出力電力をほとんど減少させずに直流供給電力を抑えることが可能である.本報告では,FETのトランスコンダクタンス特性を用いた波形解析および2GHz帯の2次高調波注入実験により本提案手法の有効性を確認する.特別な出力高調波処理を行っていない4WのGaN HEMT電力増幅器に2次高調波を注入する実験を行い,飽和出力におけるドレイン効率が57.3%から72.5%まで改善されたことを確認している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-16
著者
-
川鍋 史壮
(株)日立国際電気
-
野島 俊雄
北海道大学大学院情報科学研究科
-
松原 裕
北海道大学大学院情報科学研究科
-
川鍋 史壮
株式会社日立国際電気
-
野島 俊雄
北海道大学
-
松原 裕
北海道大学工学部電子工学科
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